Cryptography: IDF 2007: Intel готовится к массовому производству памяти PRAM

18 апреля 2007 года, 12:31
Текст: Владимир Парамонов

Технический директор Intel Джастин Раттнер в ходе форума IDF 2007 в Пекине сообщил о том, что корпорация в ближайшее время планирует начать массовое производство модулей памяти с изменяемым фазовым состоянием (PRAM).

Принцип работы памяти PRAM (Phase-change Random Access Memory) основан на свойстве халькогенидных полупроводников находиться в двух стабильных фазовых состояниях.

В одной из этих фаз вещество носителя представляет собой непроводящий аморфный материал, а в другой - кристаллический проводник. Изменение фазового состояния осуществляется путем приложения электрического потенциала. При этом происходит переключение между логическим нолем и единицей.

Как сообщает EETimes со ссылкой на заявления Раттнера, массовый выпуск чипов PRAM корпорация Intel намерена начать во второй половине текущего года. По словам Раттнера, модули PRAM будут позиционироваться в качестве альтернативы широко распространенной флэш-памяти NOR. Раттнер отметил, что по сравнению с флэш-памятью NOR модули PRAM будут характеризоваться в шесть раз более высокой скоростью записи информации. Кроме того, чипы памяти с изменяемым фазовым состоянием смогут выдерживать не менее одного миллиона циклов перезаписи.

На начальном этапе Intel намерена освоить выпуск микрочипов PRAM емкостью в 128 Мбит. При их изготовлении будет использоваться 90-нанометровая технология. В перспективе Intel планирует усовершенствовать техпроцесс.

Ожидается, что в будущем чипы памяти PRAM смогут найти применение в портативных плеерах, мобильных телефонах, компьютерном оборудовании и так далее. Стоит добавить, что на рынке памяти PRAM предстоит конкурировать с другими новыми типами памяти, в частности, сегнетоэлектрической энергонезависимой памятью с произвольным доступом к ячейкам (FRAM).